Pracownia Elementów Półprzewodnikowych

W ramach przedmiotu Elementy Półprzewodnikowe wykonuje się siedem ćwiczeń laboratoryjnych.

Laboratoria poprzedzone są dwoma ćwiczeniami rachunkowymi:

Ćwiczenie rachunkowe nr 1

– właściwości diody półprzewodnikowej (2h) – budowa złącza p-n, ch-ki statyczne diody, pkt pracy diody, praca małosygnałowa i wielkosygnałowa, praca impulsowa diody, pojemności złącza pn.

Ćwiczenie rachunkowe nr 2

– właściwości tranzystora bipolarnego (2h)  - budowa i zasada działania tranzystora, polaryzacja tranzystora, charakterystyki statyczne, układy pracy tranzystora, praca mało- i wielkosygnałowa, praca impulsowa tranzystora, przełączanie tranzystora.

Tematy ćwiczeń laboratoryjnych:

Symbol	Nr tematu	Nazwa tematu ćwiczenia	Instrukcje	Sprawozdania
DSta	1. 2.	Charakterystyki i parametry statyczne diod półprzewodnikowych Wpływ temperatury na charakterystyki i parametry statyczne diod	Instrukcja Instrukcja	Sprawozdanie
DDyn	3. 4.	Pomiar rezystancji dynamicznej wybranych diod Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych	Instrukcja Instrukcja	Sprawozdanie
TBip	5.	Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych	Instrukcja	Sprawozdanie
TDyn	7. 8.	Parametry małosygnałowe tranzystorów bipolarnych Badanie właściwości przełączających tranzystorów bipolarnych	Instrukcja Instrukcja	Sprawozdanie
TPol	9. 10.	Charakterystyki i parametry tranzystorów PNFET Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS	Instrukcja Instrukcja	Sprawozdanie
Tyr	11. 12.	Charakterystyki i parametry tyrystora Charakterystyki i parametry tranzystora IGBT	Instrukcja Instrukcja	Sprawozdanie
Opto	13. 14.	Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Charakterystyki i parametry transoptorów	Instrukcja Instrukcja	Sprawozdanie

Zasady podziału grup na podgrupy.
Grupy szkoleniowe o liczbie studentów mniejszej lub równej 15 osób nie podlegają podziałowi.
Grupy szkoleniowe o liczbie studentów równej lub większej niż 16 osób należy podzielić na 2 równe podgrupy.

Do podgrup należy zaliczać w pierwszej kolejności osoby uczęszczające na zajęcia (równomiernie się podzielić)
W sprawie podziału należy skontaktować się z jakub.kazmierczak@wat.edu.pl

Grupa (lub podgrupa) realizuje dane ćwiczenie w 3 zespołach pomiarowych (od 3 do 5 osób).
Każdy taki zespół musi posiadać swój protokół i sprawozdanie.

Kolejność wykonywania ćwiczeń dla grup bez podziału

Nr podgrupy	Zajęcia 1	Zajęcia 2	Zajęcia 3	Zajęcia 4	Zajęcia 5	Zajęcia 6	Zajęcia 7
Cała grupa	DSta	DDyn	TBip	TDyn	TPol	Tyr	Opto

Kolejność wykonywania ćwiczeń dla grup z podziałem

Nr podgrupy	Zajęcia 1	Zajęcia 2	Zajęcia 3	Zajęcia 4	Zajęcia 5	Zajęcia 6	Zajęcia 7
1	DSta	DDyn	TBip	TDyn	TPol	Tyr	Opto
2	DDyn	DSta	TPol	TBip	TDyn	Opto	Tyr

W ramach przedmiotu Elementy Półprzewodnikowe wykonuje się siedem ćwiczeń laboratoryjnych.
Pierwsze ćwiczenie laboratoryjne, będące wprowadzeniem do laboratorium (wspólne dla wszystkich grup), składa się z dwóch spotkań po jednym bloku (po 2h):

• właściwości diody półprzewodnikowej (2h) – budowa złącza p-n, ch-ki statyczne diody, pkt pracy diody, praca małosygnałowa i wielkosygnałowa, praca impulsowa, pojemności złącza pn.
• właściwości tranzystora bipolarnego (2h)  - budowa i zasada działania tranzystora, polaryzacja tranzystora, charakterystyki statyczne, układy pracy, praca mało i wielkosygnałowa, praca impulsowa, przełączanie tranzystora.

Na tych dwóch zajęciach wymagane jest posiadanie (przez każdego studenta) pojedynczej, niezapisanej kartki A5 (połowę karki A4).

Pozostałe 6 spotkań (już 4h) zgodnie z tematyką i grafikiem jak poniżej:

Symbol	Nr tematu	Nazwa tematu ćwiczenia	Instrukcje	Sprawozdania
DSta	1.	Charakterystyki i parametry statyczne diod półprzewodnikowych	Instrukcja	Sprawozdanie
DDyn	3. 4.	Pomiar rezystancji dynamicznej wybranych diod Badanie własności przełączających diod półprzewodnikowych	Instrukcja Instrukcja	Sprawozdanie
TBip	5.	Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych	Instrukcja	Sprawozdanie
TDyn	7. 8.	Parametry małosygnałowe tranzystorów bipolarnych Badanie właściwości przełączających tranzystorów bipolarnych	Instrukcja Instrukcja	Sprawozdanie
TPol	9. 10.	Charakterystyki i parametry tranzystorów PNFET Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS	Instrukcja Instrukcja	Sprawozdanie
Opto	13. 14.	Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych Charakterystyki i parametry transoptorów	Instrukcja Instrukcja	Sprawozdanie

Zasady podziału grup na podgrupy.
Grupy szkoleniowe o liczbie studentów mniejszej lub równej 15 osób nie podlegają podziałowi.
Grupy szkoleniowe o liczbie studentów równej lub większej niż 16 osób należy podzielić na 2 równe podgrupy.

Do podgrup należy zaliczać w pierwszej kolejności osoby uczęszczające na zajęcia (równomiernie się podzielić)
W sprawie podziału należy skontaktować się z jakub.kazmierczak@wat.edu.pl

Grupa (lub podgrupa) realizuje dane ćwiczenie w 3 zespołach pomiarowych (od 3 do 5 osób).
Każdy taki zespół musi posiadać swój protokół i sprawozdanie.

Kolejność wykonywania ćwiczeń dla grup bez podziału

Nr podgrupy	Zajęcia 1	Zajęcia 2	Zajęcia 3	Zajęcia 4	Zajęcia 5	Zajęcia 6
Cała grupa	DSta	DDyn	TBip	TDyn	TPol	Opto

Kolejność wykonywania ćwiczeń dla grup z podziałem

Nr podgrupy	Zajęcia 1	Zajęcia 2	Zajęcia 3	Zajęcia 4	Zajęcia 5	Zajęcia 6
1	DSta	DDyn	TBip	TDyn	TPol	Opto
2	DDyn	DSta	TDyn	TBip	Opto	TPol

Drodzy studenci,
W semestrze letnim 2024/25 nie będzie utworzonej osobnej grupy dla powtarzania Elementów Półprzewodnikowych. Osoby zapisane na powtarzanie tych zajęć powinny uczestniczyć w wykładach prowadzonych dla studentów niestacjonarnych od 2 marca:

  2.III (ndz) g. lek. 5-8     315/S

15.III (sob) g. lek. 1-4     315/S

22.III (sob) g. lek. 1-4     315/S

 5.IV (sob) g. lek. 1-2     315/S

Laboratoria będą odrabiane z grupami niestacjonarnymi WEL24EX1N1 oraz WEL24EX2N1. Przydział do danej grupy wkrótce.

Tematy ćwiczeń oraz grafik ich realizacji jak dla Studiów Niestacjonarnych wg I-szej podgrupy.

W ramach przedmiotu Elementy Półprzewodnikowe wykonuje się pięć ćwiczeń laboratoryjnych.

Pierwsze ćwiczenie będące wprowadzeniem do laboratorium, poświęcone jest właściwościom elementów półprzewodnikowych (głównie diod i tranzystorów).
Realizowane jest wspólnie dla obu podgrup. Szczegółowe informacje nt. tego ćwiczenia - Jakub.Kazmierczak@wat.edu.pl.

Symbol	Nr tematu	Nazwa tematu ćwiczenia	Instrukcje	Sprawozdania
WEp		Właściwości elementów półprzewodnikowych
DSta	1. 4.	Charakterystyki i parametry statyczne diod półprzewodnikowych Badanie własności przełączających diod  półprzewodnikowych - prezentacja	Instrukcja Instrukcja	Sprawozdanie
TBip	5. 8.	Charakterystyki statyczne tranzystorów bipolarnych Badanie właściwości przełączających tranzystorów bipolarnych - prezentacja	Instrukcja Instrukcja	Sprawozdanie
TPol	9. 10.	Charakterystyki i parametry tranzystorów PNFET Charakterystyki i parametry tranzystorów MIS	Instrukcja Instrukcja	Sprawozdanie
Opto	13.	Charakterystyki i parametry dyskretnych półprzewodnikowych przyrządów optoelektronicznych	Instrukcja	Sprawozdanie

Zasady podziału grup na podgrupy
Grupy szkoleniowe o liczbie studentów mniejszej lub równej 15 osób nie podlegają podziałowi.
Grupy szkoleniowe o liczbie studentów równej lub większej niż 16 osób należy podzielić na 2 równe podgrupy.

Do podgrup należy zaliczać w pierwszej kolejności osoby uczęszczające na zajęcia (równomiernie się podzielić)
W sprawie podziału należy skontaktować się z jakub.kazmierczak@wat.edu.pl

Grupa (lub podgrupa) realizuje dane ćwiczenie w 3 zespołach pomiarowych (od 3 do 5 osób).
Każdy taki zespół musi posiadać swój protokół i sprawozdanie.

Kolejność wykonywania ćwiczeń dla grup bez podziału

Nr podgrupy	Zajęcia 1	Zajęcia 2	Zajęcia 3	Zajęcia 4	Zajęcia 5
Cała grupa	WEp	DSta	TBip	TPol	Opto

Kolejność wykonywania ćwiczeń dla grup z podziałem

Nr podgrupy	Zajęcia 1	Zajęcia 2	Zajęcia 3	Zajęcia 4	Zajęcia 5
1	WEp	DSta	TBip	TPol	Opto
2	WEp	TBip	DSta	Opto	TPol